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| 英文名稱(chēng)： |
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit |
 中標(biāo)分類(lèi)： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H82元素半導(dǎo)體材料 |
| ICS分類(lèi)： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 發(fā)布部門(mén)： |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) |
| 發(fā)布日期： |
2022-03-09 |
| 實(shí)施日期： |
2022-10-01
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| 提出單位： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2) |
| 歸口單位： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司、南京國(guó)盛電子有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司、浙江海納半導(dǎo)體有限公司 |
| 起草人： |
孫燕、寧永鐸、鐘耕杭、李洋、徐新華、駱紅、楊素心、李素青、張海英、由佰玲、潘金平 |
| 頁(yè)數(shù)： |
12頁(yè) |
| 出版社： |
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社 |