硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)? |
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| 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 6617-2009 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格：33.0 元 |
客戶評(píng)分：  |
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本標(biāo)準(zhǔn)有現(xiàn)貨可當(dāng)天發(fā)貨一線城市最快隔天可到！ |
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片電阻率的擴(kuò)展電阻探針測(cè)量方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量晶體晶向與導(dǎo)電類(lèi)型已知的硅片的電阻率和測(cè)量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率,測(cè)量范圍:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
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| 英文名稱： |
Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe |
 替代情況： |
替代GB/T 6617-1995 |
| 中標(biāo)分類(lèi)： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合 |
| ICS分類(lèi)： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 發(fā)布部門(mén)： |
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) |
| 發(fā)布日期： |
2009-10-30 |
| 實(shí)施日期： |
2010-06-01
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| 首發(fā)日期： |
1986-07-26 |
| 提出單位： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) |
| 歸口單位： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì) |
| 主管部門(mén)： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì) |
| 起草單位： |
南京國(guó)盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司 |
| 起草人： |
馬林寶、駱紅、劉培東、譚衛(wèi)東、呂立平等 |
| 計(jì)劃單號(hào)： |
20065629-T-469 |
| 頁(yè)數(shù)： |
12頁(yè) |
| 出版社： |
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 出版日期： |
2010-06-01 |
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本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T6617-1995《硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)ā贰?
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T6617-1995相比,主要有如下變化:
---引用標(biāo)準(zhǔn)中刪去硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定磨角染色法;
---方法原理中刪去單探針和三探針的原理圖并增加了擴(kuò)展電阻原理公式(1)及其三個(gè)假定條件;
---增加了干擾因素;
---測(cè)量?jī)x器和環(huán)境增加了自動(dòng)測(cè)量?jī)x器的范圍和精度;
---對(duì)原測(cè)量程序進(jìn)行全面修改;
---刪去測(cè)量結(jié)果計(jì)算。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:南京國(guó)盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:馬林寶、駱紅、劉培東、譚衛(wèi)東、呂立平等。
本標(biāo)準(zhǔn)代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB6617-1986、GB/T6617-1995。
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下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法
GB/T1552 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)?
GB/T1555 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
GB/T14847 重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法
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