低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 24581-2009 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：已作廢 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格：29.0 元 |
客戶評(píng)分：  |
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本標(biāo)準(zhǔn)有現(xiàn)貨可當(dāng)天發(fā)貨一線城市最快隔天可到！ |
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本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)硅單晶中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga)的含量。
本標(biāo)準(zhǔn)所適用的硅中每一種電活性元素雜質(zhì)或摻雜劑濃度范圍為(0.01×10-9~5.0×10-9)a。 |
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| 英文名稱： |
Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities |
| 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)： |
已作廢 |
 替代情況： |
被GB/T 24581-2022代替 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 采標(biāo)情況： |
IDT SEMI MF 1630-0704 |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) |
| 發(fā)布日期： |
2009-10-30 |
| 實(shí)施日期： |
2010-06-01
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| 作廢日期： |
2022-10-01
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| 首發(fā)日期： |
2009-10-30 |
| 提出單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì) |
| 主管部門： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì) |
| 起草單位： |
四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司 |
| 起草人： |
梁洪、過惠芬、吳道榮 |
| 計(jì)劃單號(hào)： |
20073568-T-469 |
| 頁數(shù)： |
12頁 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 出版日期： |
2010-06-01 |
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本標(biāo)準(zhǔn)等同采用SEMIMF1630?0704《低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF1630?0704相比,主要有如下變化:
---用實(shí)際測(cè)量到的紅外譜圖代替SEMIMF1630?0704標(biāo)準(zhǔn)中的圖2、圖3。
---用實(shí)驗(yàn)得到的單一實(shí)驗(yàn)室測(cè)試精密度代替SEMIMF1630?0704中給出的單一實(shí)驗(yàn)室測(cè)試精密度。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:梁洪、過惠芬、吳道榮。 |
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