用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價(jià)多晶硅棒的規(guī)程 |
 |
| 標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 29057-2012 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：已作廢 |
|
| 標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格：38.0 元 |
客戶評分：  |
|
|
立即購買工即可享受本標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)變更提醒服務(wù)！ |
|
|
|
|
|
|
本標(biāo)準(zhǔn)采用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法來測量多晶硅棒中的施主、受主雜質(zhì)濃度。測得的施主、受主雜質(zhì)濃度可以用來計(jì)算按一定的目標(biāo)電阻率生長單晶硅棒所需要的摻雜量,也可以用來推算非摻雜硅棒的電阻率。 |
|
|
|
| 英文名稱： |
Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy |
| 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)： |
已作廢 |
 替代情況： |
被GB/T 29057-2023代替 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 采標(biāo)情況： |
SEMI MF1723-1104 MOD |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2012-12-31 |
| 實(shí)施日期： |
2013-10-01
|
| 作廢日期： |
2024-03-01
|
| 提出單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203) |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203) |
| 主管部門： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203) |
| 起草單位： |
四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、樂山樂電天威硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、天威四川硅業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 起草人： |
梁洪、劉暢、陳自強(qiáng)、張新、藍(lán)志、張華端、瞿芬芬 |
| 頁數(shù)： |
20頁 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 出版日期： |
2013-10-01 |
|
|
|
本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)修改采用國際標(biāo)準(zhǔn)SEMIMF1723-1104《用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價(jià)多晶硅棒的規(guī)程》。為方便比較,資料性附錄A 中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條和對應(yīng)的國際標(biāo)準(zhǔn)章條的對照一覽表。
本標(biāo)準(zhǔn)在采用SEMIMF1723-1104時(shí)進(jìn)行了修改。這些技術(shù)差異用垂直單線標(biāo)識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。主要技術(shù)差異如下:
———在“規(guī)范性引用文件”中,凡我國已有國家標(biāo)準(zhǔn)的,均用相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)代替SEMIMF1723-1104中的“引用文件”。
———增加規(guī)范性引用文件GB/T1553《硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定 光電導(dǎo)衰減法》。
———將6.2中“…ISO14644-1中規(guī)定的ISO5級…”改為“…GB50073中規(guī)定的5級…”。
———將7.2.1中“…ISO14644-1中規(guī)定的ISO6級…”改為“…GB50073中規(guī)定的6級…”。
———將7.3.1中“…ISO14644-1中規(guī)定的ISO6級…”改為“…GB50073中規(guī)定的6級…”。
———將7.3.1中“…1×10-6torr…”改為“…1.3×10-4Pa…”。
———將8.1中“硝酸(HNO3)———符合SEMIC352級”改為“硝酸(HNO3)———符合GB/T626優(yōu)級純”。
———將8.2中“氫氟酸(HF)———符合SEMIC282級”改為“氫氟酸(HF)———符合GB/T620優(yōu)級純”。
———將8.4中“去離子水———純度等于或優(yōu)于ASTM D5127中的E-2級”改為“去離子水———純度等于或優(yōu)于GB/T11446.1中的EW-2級”。
———將8.5中“高純氬氣———符合SEMIC3.42”改為“高純氬氣———符合GB/T4842優(yōu)等品”。
———增加12.5.2.4“按照GB/T1553檢測晶棒體內(nèi)少數(shù)載流子壽命�！�
———將12.6.1中“…根據(jù)SEMIMF1391分析碳含量…”改為“…根據(jù)GB/T1558分析碳含量…”。
———將12.6.3.3中“…按測試方法SEMIMF1391…”改為“…按測試方法GB/T1558…”。
———將13.3.5.1中“…見SEMIMF723…”改為“…見GB/T13389…”。
———將14.1中“…在SEMIMF1391中…”改為“…在GB/T1558中…”。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC203)提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、樂山樂電天威硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、天威四川硅業(yè)有限責(zé)任公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:梁洪、劉暢、陳自強(qiáng)、張新、藍(lán)志、張華端、瞿芬芬。 |
|
|
|
| |