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硅材料原生缺陷圖譜

國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 30453-2013 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格:138.0 客戶評(píng)分:星星星星1
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標(biāo)準(zhǔn)簡介
本標(biāo)準(zhǔn)給出了硅多晶、硅單晶、硅片和硅外延片等硅材料的各種原生缺陷及其密切相關(guān)誘生缺陷的術(shù)語及其形貌特征圖譜。分析了其產(chǎn)生的原因和消除方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅多晶、硅單晶、硅片和硅外延片等硅材料生產(chǎn)研究中各種缺陷的檢驗(yàn)。硅器件、集成電路的生產(chǎn)研究也可參考本標(biāo)準(zhǔn)。
英文名稱:  Metallographs collection for original defects of crystalline silicon
什么是中標(biāo)分類? 中標(biāo)分類:  冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
什么是ICS分類?  ICS分類:  電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門:  中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期:  2013-12-31
實(shí)施日期:  2014-10-01
提出單位:  全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
什么是歸口單位? 歸口單位:  全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
主管部門:  全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位:  有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、東方電氣集團(tuán)峨眉半導(dǎo)體材料有限公司、南京國盛電子有限公司、杭州海納半導(dǎo)體有限公司、萬向硅峰電子股份有限公司、四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所
起草人:  孫燕、曹孜、翟富義、楊旭、譚衛(wèi)東、黃笑容、樓春蘭、王飛堯、石宇、劉云霞、陳赫、梁洪、羅莉萍、李詠梅、齊步坤、李慧、向磊
頁數(shù):  88頁【彩圖】
出版社:  中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
出版日期:  2014-10-01
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前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009制定的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC203/SC2)提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、東方電氣集團(tuán)峨眉半導(dǎo)體材料有限公司、南京國盛電子有限公司、杭州海納半導(dǎo)體有限公司、萬向硅峰電子股份有限公司、四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:孫燕、曹孜、翟富義、楊旭、譚衛(wèi)東、黃笑容、樓春蘭、王飛堯、石宇、劉云霞、陳赫、梁洪、羅莉萍、李詠梅、齊步坤、李慧、向磊。
目錄
前言 Ⅲ
1 范圍 1
2 規(guī)范性引用文件 1
3 術(shù)語和定義 1
4 硅多晶結(jié)構(gòu)的不完整性 1
5 硅單晶晶體缺陷 4
6 硅片加工缺陷 9
7 硅外延片缺陷 11
附錄 A (資料性附錄) 氫致缺陷圖 76
索引 79
引用標(biāo)準(zhǔn)
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