半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法 非接觸渦流法 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 6616-2009 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：已作廢 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格：29.0 元 |
客戶評(píng)分：  |
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本標(biāo)準(zhǔn)有現(xiàn)貨可當(dāng)天發(fā)貨一線城市最快隔天可到！ |
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用非接觸渦流測(cè)定半導(dǎo)體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑或邊長(zhǎng)大于25mm、厚度為0.1mm~1mm 的硅單晶切割片、研磨片和拋光片的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測(cè)量薄膜薄層電阻時(shí),襯底的有效薄層電阻至少應(yīng)為薄膜薄層電阻的1000倍。 |
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| 英文名稱： |
Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge |
| 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)： |
已作廢 |
 替代情況： |
被GB/T 6616-2023代替;替代GB/T 6616-1995 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 采標(biāo)情況： |
SEMI MF673-1105 MOD |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) |
| 發(fā)布日期： |
2009-10-30 |
| 實(shí)施日期： |
2010-06-01
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| 作廢日期： |
2024-03-01
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| 首發(fā)日期： |
1986-07-26 |
| 提出單位： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) |
| 歸口單位： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì) |
| 主管部門： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì) |
| 起草單位： |
萬向硅峰電子股份有限公司 |
| 起草人： |
樓春蘭、朱興萍、方強(qiáng)、汪新平、戴文仙 |
| 計(jì)劃單號(hào)： |
20065621-T-469 |
| 頁(yè)數(shù)： |
12頁(yè) |
| 出版社： |
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 出版日期： |
2010-06-01 |
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本標(biāo)準(zhǔn)修改采用了SEMIMF673?1105《用非接觸渦流法測(cè)定半導(dǎo)體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的
方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF673?1105相比主要變化如下:
---本標(biāo)準(zhǔn)范圍中只包括硅半導(dǎo)體材料,去掉了范圍中對(duì)于其他半導(dǎo)體晶片的適用對(duì)象;
---本標(biāo)準(zhǔn)未采用SEMIMF673?1105中局部范圍測(cè)量的方法Ⅱ;
---未采用SEMI標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)鍵詞章節(jié)以適合GB/T1.1的要求。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T6616-1995《半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定 非接觸渦流法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T6616-1995相比,主要有如下變化:
---調(diào)整了本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量直徑或邊長(zhǎng)范圍為大于25mm;
---增加了引用標(biāo)準(zhǔn);
---修改了第3章中的公式
---修改了第4章中參考片電阻率的值與表1指定值之偏差為小于±25%;
---增加了干擾因素;
---修改了第6章中測(cè)試環(huán)境溫度為23℃±1°C;
---規(guī)定了測(cè)試環(huán)境清潔度不低于10000級(jí);儀器預(yù)熱時(shí)間為20min;
---第7章中采用了SEMIMF673?1105標(biāo)準(zhǔn)中相關(guān)的精度和偏差。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位:萬向硅峰電子股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:樓春蘭、朱興萍、方強(qiáng)、汪新平、戴文仙。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB/T6616-1995。 |
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下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T1552 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直排四探針法
ASTM E691 引導(dǎo)多個(gè)實(shí)驗(yàn)室測(cè)定試驗(yàn)方法的慣例 |
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