硅片厚度和總厚度變化測試方法 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 6618-2009 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格：33.0 元 |
客戶評(píng)分：  |
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本標(biāo)準(zhǔn)有現(xiàn)貨可當(dāng)天發(fā)貨一線城市最快隔天可到！ |
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片和外延片(簡稱硅片)厚度和總厚度變化的分立式和掃
描式測量方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于符合GB/T12964、GB/T12965、GB/T14139規(guī)定的尺寸的硅片的厚度和總厚度變
化的測量。在測試儀器允許的情況下,本標(biāo)準(zhǔn)也可用于其他規(guī)格硅片的厚度和總厚度變化的測量。
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| 英文名稱： |
Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices |
 替代情況： |
替代GB/T 6618-1995 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) |
| 發(fā)布日期： |
2009-10-30 |
| 實(shí)施日期： |
2010-06-01
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| 首發(fā)日期： |
1986-07-26 |
| 提出單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì) |
| 主管部門： |
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) |
| 起草單位： |
北京有研半導(dǎo)體材料股份有限公司 |
| 起草人： |
盧立延、孫燕、杜娟 |
| 計(jì)劃單號(hào)： |
20065630-T-469 |
| 頁數(shù)： |
12頁 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 出版日期： |
2010-06-01 |
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本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T6618-1995《硅片厚度和總厚度變化測試方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T6618-1995相比,主要有如下變化:
---將適用范圍擴(kuò)展到外延片;
---增加了第4章干擾因素;
---增加了150mm 和200mm 兩種規(guī)格的基準(zhǔn)環(huán)的尺寸;
---增加了7.2儀器校正的內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:北京有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:盧立延、孫燕、杜娟。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB6618-1986、GB/T6618-1995。
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GB/T2828.1 計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序 第1 部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃
(GB/T2828.1-2003,ISO28591:1999,IDT)
GB/T12964 硅單晶拋光片
GB/T12965 硅單晶切割片和研磨片
GB/T14139 硅外延片
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