硅片彎曲度測試方法 |
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| 標準編號：GB/T 6619-2009 |
標準狀態(tài)：現(xiàn)行 |
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| 標準價格：33.0 元 |
客戶評分：  |
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本標準規(guī)定了硅單晶切割片?研磨片?拋光片(以下簡稱硅片)彎曲度的接觸式測量方法?
本標準適用于測量直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形硅片的彎曲度?本測試方法的目的是用于來料驗收和過程控制?本標準也適用于測量其他半導體圓片
彎曲度?
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| 英文名稱： |
Test methods for bow of silicon wafers |
 替代情況： |
替代GB/T 6619-1995 |
| 中標分類： |
冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導體材料 |
| 采標情況： |
SEMI MF534-0706 MOD |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2009-10-30 |
| 實施日期： |
2010-06-01
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| 首發(fā)日期： |
1985-06-17 |
| 提出單位： |
全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC203) |
| 歸口單位： |
全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會 |
| 主管部門： |
國家標準化管理委員會 |
| 起草單位： |
洛陽單晶硅有限責任公司 |
| 起草人： |
劉玉芹、蔣建國、馮校亮、張靜雯 |
| 計劃單號： |
20065632-T-469 |
| 頁數(shù)： |
12頁 |
| 出版社： |
中國標準出版社 |
| 書號： |
155066·139560 |
| 出版日期： |
2010-06-01 |
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本標準修改采用SEMIMF5340706《硅片彎曲度測試方法》。
本標準與SEMIMF5340706相比,主要變化如下:
---本標準接觸式測量方法格式按GB/T1.1格式編排;
---本標準根據(jù)我國實際生產(chǎn)情況增加了非接觸式測量方法。
本標準代替GB/T6619-1995《硅片彎曲度測試方法》。
本標準與GB/T6619-1995相比,主要有如下變動:
---擴大了可測量硅片范圍為直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于
250的圓形硅片;
---增加了引用文件、術(shù)語、意義用途、測量環(huán)境條件和干擾因素等章節(jié);
---修改了儀器校正的內(nèi)容。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC203)提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。
本標準起草單位:洛陽單晶硅有限責任公司。
本標準主要起草人:劉玉芹、蔣建國、馮校亮、張靜雯。
本標準所替代標準的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB6619-1986、GB/T6619-1995。
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GB/T2828.1 計數(shù)抽樣檢驗程序 第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃(GB/T2828.1-2003,ISO28591:1999,IDT)
GB/T14264 半導體材料術(shù)語 |
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