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碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 30866-2014 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):已作廢
標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格:24.0 客戶評(píng)分:星星星星1
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標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用千分尺測(cè)量碳化硅單晶片直徑的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅單晶片直徑的測(cè)量。
英文名稱:  Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):  已作廢
什么是替代情況? 替代情況:  GB/T 14140-2025代替
什么是中標(biāo)分類? 中標(biāo)分類:  冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H83化合物半導(dǎo)體材料
什么是ICS分類?  ICS分類:  電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門:  中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期:  2014-07-24
實(shí)施日期:  2015-02-01
作廢日期:  2026-02-01
提出單位:  全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)及材料分技術(shù)委員會(huì)
什么是歸口單位? 歸口單位:  全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)及材料分技術(shù)委員會(huì)
起草單位:  中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
起草人:  丁麗、周智慧、藺嫻、郝建民、何秀坤、劉筠、馮亞彬、裴會(huì)川
頁數(shù):  8頁
出版社:  中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
出版日期:  2015-02-01
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前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)及材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:丁麗、周智慧、藺嫻、郝建民、何秀坤、劉筠、馮亞彬、裴會(huì)川。

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