硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測試方法 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 26068-2010 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：已作廢 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)價格：41.0 元 |
客戶評分：  |
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本標(biāo)準(zhǔn)有現(xiàn)貨可當(dāng)天發(fā)貨一線城市最快隔天可到！ |
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本方法適用于測量均勻摻雜、經(jīng)過拋光處理的n型或p型硅片的載流子復(fù)合壽命。本方法是非破壞性、無接觸測量。在電導(dǎo)率檢測系統(tǒng)的靈敏度足夠的條件下,本方法也可應(yīng)用于測試切割或者經(jīng)過研磨、腐蝕硅片的載流子復(fù)合壽命。 |
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| 英文名稱： |
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance |
| 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)： |
已作廢 |
 替代情況： |
被GB/T 26068-2018代替 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2011-01-10 |
| 實施日期： |
2011-10-01
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| 作廢日期： |
2019-11-01
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| 首發(fā)日期： |
2011-01-10 |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部門： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、瑟米萊伯貿(mào)易(上海)有限公司、中國計量科學(xué)研究院、萬向硅峰電子有限公司、廣州昆德科技有限公司、洛陽單晶硅有限責(zé)任公司 |
| 起草人： |
曹孜、孫燕、黃黎、高英、石宇、樓春蘭、王世進(jìn)、張靜雯 |
| 頁數(shù)： |
28頁 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 出版日期： |
2011-10-01 |
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本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC203/SC2)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、瑟米萊伯貿(mào)易(上海)有限公司、中國計量科學(xué)研究院、萬向硅峰電子有限公司、廣州昆德科技有限公司、洛陽單晶硅有限責(zé)任公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:曹孜、孫燕、黃黎、高英、石宇、樓春蘭、王世進(jìn)、張靜雯。 |
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前言 Ⅲ
1 范圍 1
2 規(guī)范性引用文件 1
3 術(shù)語和定義 1
4 檢測方法概述 2
5 干擾因素 3
6 設(shè)備 4
7 試劑 5
8 取樣及樣片制備 5
9 測試步驟 7
10 報告 8
11 精密度和偏差 8
附錄A (規(guī)范性附錄) 注入水平的修正 9
附錄B(資料性附錄) 注入水平的相關(guān)探討 10
附錄C (資料性附錄) 載流子復(fù)合壽命與溫度的關(guān)系 13
附錄D (資料性附錄) 少數(shù)載流子復(fù)合壽命 16
附錄E (資料性附錄) 測試方法目的和精密度 19
參考文獻(xiàn) 20 |
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