硅退火片規(guī)范 |
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| 標準編號：GB/T 26069-2010 |
標準狀態(tài)：已作廢 |
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| 標準價格：29.0 元 |
客戶評分：  |
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本標準有現(xiàn)貨可當天發(fā)貨一線城市最快隔天可到！ |
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本標準規(guī)定了半導(dǎo)體器件和集成電路制造用硅退火拋光片的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則等。
本標準適用于線寬180nm、130nm 和90nm 工藝退火硅片。 |
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| 英文名稱： |
Specification for silicon annealed wafers |
| 標準狀態(tài)： |
已作廢 |
 替代情況： |
被GB/T 26069-2022代替 |
| 中標分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2011-01-10 |
| 實施日期： |
2011-10-01
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| 作廢日期： |
2022-10-01
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| 首發(fā)日期： |
2011-01-10 |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部門： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
萬向硅峰電子股份有限公司、有研半導(dǎo)體材料股份公司、寧波立立電子股份有限公司和杭州海納半導(dǎo)體有限公司 |
| 起草人： |
樓春蘭、孫燕、朱興萍、宮龍飛、王飛堯、黃笑容、方強、汪成生、程國慶 |
| 頁數(shù)： |
12頁 |
| 出版社： |
中國標準出版社 |
| 出版日期： |
2011-10-01 |
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本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC203/SC2)負責(zé)歸口。
本標準起草單位:萬向硅峰電子股份有限公司、有研半導(dǎo)體材料股份公司、寧波立立電子股份有限公司和杭州海納半導(dǎo)體有限公司共同負責(zé)起草。
本標準主要起草人:樓春蘭、孫燕、朱興萍、宮龍飛、王飛堯、黃笑容、方強、汪成生、程國慶。 |
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下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
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