改良西門子法多晶硅用硅芯 |
 |
| 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：YS/T 1061-2015 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：已作廢 |
|
| 標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格：14.0 元 |
客戶評(píng)分：  |
|
|
本標(biāo)準(zhǔn)有現(xiàn)貨可當(dāng)天發(fā)貨一線城市最快隔天可到！ |
|
|
|
|
|
|
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了改良西門子法生產(chǎn)多晶硅用硅芯的要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、質(zhì)量證明書及訂貨單（或合同）內(nèi)容等。 |
|
|
|
| 英文名稱： |
Silicon core for polysilicon by improved siemens method |
| 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)： |
已作廢 |
 替代情況： |
被YS/T 1061-2024代替 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H82元素半導(dǎo)體材料 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部 |
| 發(fā)布日期： |
2015-04-30 |
| 實(shí)施日期： |
2015-10-01
|
| 作廢日期： |
2025-05-01
|
| 提出單位： |
全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 243) |
| 歸口單位： |
全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 243) |
| 主管部門： |
全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 243) |
| 起草單位： |
江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、河南協(xié)鑫光伏科技有限公司、無(wú)錫中硅新材料股份有限公司、昆明冶研新材料股份有限公司 |
| 起草人： |
李軍正、胡偉、張曉東、耿全榮、劉丹、陳晶、亢若谷、趙建為 |
| 頁(yè)數(shù)： |
8頁(yè) |
| 出版社： |
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 書號(hào)： |
155066·2-29172 |
| 出版日期： |
2015-10-01 |
|
|
|
本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC243)提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、河南協(xié)鑫光伏科技有限公司、無(wú)錫中硅新材料股份有限公司、昆明冶研新材料股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李軍正、胡偉、張曉東、耿全榮、劉丹、陳晶、亢若谷、趙建為。 |
|
|
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法
GB/T1551 硅單晶電阻率測(cè)定方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法
GB/T2828.1 計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序 第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃
GB/T11336 直線度誤差檢測(cè)
GB/T14264 半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
GB/T24582 酸浸取-電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定 多晶硅表面金屬雜質(zhì)
GB/T29849 光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)量方法 |
|
|
|
| |