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| 英文名稱： |
Silicon epitaxial wafers with buried layers |
 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H82元素半導(dǎo)體材料 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 發(fā)布部門： |
國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2024-08-23 |
| 實施日期： |
2025-03-01
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| 提出單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
南京國盛電子有限公司、西安龍威半導(dǎo)體有限公司、上海晶盟硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司、浙江麗水中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司、南京盛鑫半導(dǎo)體材料有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有限責(zé)任公司、河北普興電子科技股份有限公司 |
| 起草人： |
仇光寅、王銀海、謝進(jìn)、駱紅、賀東江、馬林寶、顧廣安、李慎重、李春陽、徐西昌、徐新華、袁夫通、劉小青、米姣、周益初、張強 |
| 頁數(shù)： |
16頁 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |