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碳化硅單晶片微管密度測(cè)試方法

國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 30868-2025 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格:33.0 客戶評(píng)分:星星星星1
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標(biāo)準(zhǔn)簡介
本文件描述了碳化硅單晶片的微管密度的測(cè)試方法,包括化學(xué)腐蝕法和偏振光法。
本文件適用于碳化硅單晶片微管密度的測(cè)試。
英文名稱:  Test method for micropipe density of monocrystalline silicon carbide
什么是替代情況? 替代情況:  替代GB/T 30868-2014;GB/T 31351-2014
什么是中標(biāo)分類? 中標(biāo)分類:  冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
什么是ICS分類?  ICS分類:  冶金>>77.040金屬材料試驗(yàn)
發(fā)布部門:  國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期:  2025-08-01
實(shí)施日期:  2026-02-01
提出單位:  全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
什么是歸口單位? 歸口單位:  全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位:  中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司、浙江晶瑞電子材料有限公司、南京盛鑫半導(dǎo)體材料有限公司等
起草人:  姚康、許蓉、佘宗靜、何烜坤、王英明、張紅巖、齊菲、丁雄杰、李素青、劉小平、歐陽鵬根、潘文賓、晏陽、王志勇、王明華、胡潤光、李明達(dá)、張超越、孫毅、趙麗麗、趙新田、陳基生
頁數(shù):  12頁
出版社:  中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
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