氮化鎵單晶襯底表面粗糙度的原子力顯微鏡檢驗法 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 32189-2015 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)價格：36.0 元 |
客戶評分：  |
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用原子力顯微鏡測試氮化鎵單晶襯底表面粗糙度的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于化學(xué)氣相沉積及其他方法生長制備的表面粗糙度小于10nm 的氮化鎵單晶襯底。其他具有相似表面結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體單晶襯底應(yīng)用本標(biāo)準(zhǔn)提供的方法進行測試前,需經(jīng)測試雙方協(xié)商達成一致。 |
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| 英文名稱： |
Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope |
 中標(biāo)分類： |
冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法 |
| ICS分類： |
冶金>>77.040金屬材料試驗 |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2015-12-10 |
| 實施日期： |
2016-11-01
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| 提出單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 (SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料會(SAC/TC203/SC2) |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 (SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料會(SAC/TC203/SC2) |
| 主管部門： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 (SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料會(SAC/TC2 |
| 起草單位： |
中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司 |
| 起草人： |
劉爭暉、鐘海艦、徐耿釗、樊英民、邱永鑫、曾雄輝、王建峰、徐科 |
| 頁數(shù)： |
16頁 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 出版日期： |
2016-11-01 |
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本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 (SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:劉爭暉、鐘海艦、徐耿釗、樊英民、邱永鑫、曾雄輝、王建峰、徐科。 |
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