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硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
標(biāo)準(zhǔn)編號:
GB/T 6617-1995
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):
已作廢
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標(biāo)準(zhǔn)簡介
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量晶體取向與導(dǎo)電類型已知的硅片的電阻率和測量與襯底同型或反型的硅外延層的電阻率。測量范圍:10-3~102Ω·cm。
英文名稱:
Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):
已作廢
替代情況:
替代
GB 6617-1986
;被GB/T 6617-2009代替
中標(biāo)分類:
冶金
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金屬理化性能試驗方法
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H21金屬物理性能試驗方法
ICS分類:
29.040.30
UDC分類:
669.782-415;317.33
采標(biāo)情況:
=ASTM F525-88
發(fā)布部門:
國家技術(shù)監(jiān)督局
發(fā)布日期:
1995-04-18
實施日期:
1995-01-02
作廢日期:
2010-06-01
首發(fā)日期:
1986-07-26
復(fù)審日期:
2004-10-14
歸口單位:
全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
主管部門:
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位:
電子部標(biāo)準(zhǔn)化所
頁數(shù):
平裝16開, 頁數(shù):8, 字?jǐn)?shù):12千字
出版社:
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
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