| 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) |
標(biāo)準(zhǔn)名稱 |
發(fā)布部門 |
實(shí)施日期 |
狀態(tài) |
| SJ 20634-1997 |
電子漿料性能試驗(yàn)方法 |
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1997-10-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20635-1997 |
半絕緣砷化鎵剩余雜質(zhì)濃度微區(qū)試驗(yàn)方法 |
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1997-10-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20636-1997 |
IC用大直徑薄硅片的氧、碳含量微區(qū)試驗(yàn)方法 |
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1997-10-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20638-1997 |
TFT-LCD用液晶材料規(guī)范 |
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1997-10-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20639-1997 |
黑色賓—主型液晶材料規(guī)范 |
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1997-10-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20640-1997 |
紅外探測(cè)器用銻化銦單晶片規(guī)范 |
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1997-10-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20641-1997 |
紅外探測(cè)器用銻化銦單晶規(guī)范 |
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1997-10-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20670-1998 |
鋯鋁吸氣劑規(guī)范 |
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1998-05-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20713-1998 |
砷化鎵用高鈍鎵中銅、錳、鎂、釩、鈦等12種雜質(zhì)的等離子體光譜分析法 |
電子工業(yè)部
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1998-05-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20714-1998 |
砷化鎵拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射試驗(yàn)方法 |
電子工業(yè)部
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1998-05-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20715-1998 |
電子元器件用鈹青銅板帶材規(guī)范 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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1998-05-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20716-1998 |
電子元器件用鈹青銅線棒材規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1998-05-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20717-1998 |
氧化鋅壓電薄膜規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1998-05-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20718-1998 |
碲鎘汞晶體中痕量元素的測(cè)定方法 |
電子工業(yè)部
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1998-05-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20719-1998 |
碲鎘汞晶體X值的X-射線熒光法測(cè)定方法 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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1998-05-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20744-1999 |
半導(dǎo)體材料雜質(zhì)含量紅外吸收光譜分析通用導(dǎo)則 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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1999-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20745-1999 |
高錸鎢錸合金絲規(guī)范 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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1999-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20746-1999 |
液晶材料性能測(cè)試方法 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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1999-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20750-1999 |
軍用CMOS電路用抗輻射硅單晶片規(guī)范 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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1999-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 51931/8-1998 |
R2KBH PQ20×16 PQ26×25 PQ32×30 型磁芯詳細(xì)規(guī)范 |
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1998-05-01 |
現(xiàn)行 |