半導(dǎo)體光電子器件2EK150型砷化鎵高速開關(guān)二極管詳細規(guī)范 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)編號：SJ 50033/141-1999 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)價格：15.0 元 |
客戶評分：  |
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立即購買工即可享受本標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)變更提醒服務(wù)！ |
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本規(guī)范規(guī)定了2EK150型砷化鎵高速開關(guān)二極管（以下簡稱器件）的詳細要求。本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購. |
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| 英文名稱： |
Semiconductor discrete devices-Detail specification for Type 2EK150 GaAs high speed switching diode |
 中標(biāo)分類： |
>>>>L5961 |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部 |
| 發(fā)布日期： |
1999-11-10 |
| 實施日期： |
1999-12-01
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| 提出單位： |
中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部 |
| 歸口單位： |
中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所 |
| 起草單位： |
長春市半導(dǎo)體廠 |
| 起草人： |
陳蘭、朱云來 |
| 頁數(shù)： |
9頁 |
| 出版社： |
中國電子工業(yè)出版社 |
| 出版日期： |
1999-12-01 |
| 標(biāo)準(zhǔn)前頁： |
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GB/T 6571-1995 半導(dǎo)體器件 分立器件 第3部分：信號（包括開關(guān)）和調(diào)整二極管
GJB 33A-1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范
GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗方法 |
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