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| 英文名稱： |
Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method |
 替代情況： |
替代GB/T 11068-1989 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法 |
| ICS分類： |
化工技術(shù)>>無機(jī)化學(xué)>>71.060.50鹽 |
| 采標(biāo)情況： |
DIN 50439 NEQ |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) |
| 發(fā)布日期： |
2006-07-18 |
| 實(shí)施日期： |
2006-11-01
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| 首發(fā)日期： |
1989-03-31 |
| 復(fù)審日期： |
2023-12-28 |
| 提出單位： |
中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì) |
| 歸口單位： |
全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) |
| 主管部門： |
中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì) |
| 起草單位： |
北京有色金屬研究總院 |
| 起草人： |
王彤涵 |
| 計(jì)劃單號： |
20021944-T-610 |
| 頁數(shù)： |
平裝16開 頁數(shù)：8, 字?jǐn)?shù)：11千字 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 出版日期： |
2006-11-01 |