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| 英文名稱： |
Detail specification for electronic components-Ambint-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification, Type 3DG80 (Applicable for certification) |
| 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)： |
已廢止 |
 替代情況： |
原標(biāo)準(zhǔn)號(hào)GB 7147-87 |
| 中標(biāo)分類： |
能源、核技術(shù)>>能源、核技術(shù)綜合>>F01技術(shù)管理 |
| 發(fā)布日期： |
1996-11-20 |
| 實(shí)施日期： |
1997-01-01
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| 作廢日期： |
2010-01-20
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| 頁(yè)數(shù)： |
13頁(yè) |
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