半導體分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高頻小功率晶體管詳細規(guī)范 |
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| 標準編號：SJ 20060-1992 |
標準狀態(tài)：現(xiàn)行 |
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| 標準價格：14.0 元 |
客戶評分：  |
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本規(guī)范規(guī)定了3DG120型NPN硅高頻小功率晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求.該種器件按GJB33《半導體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個等級(GP、GT和GCT級). |
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| 英文名稱： |
Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120 |
 中標分類： |
綜合>>標準化管理與一般規(guī)定>>A01技術(shù)管理 |
| 發(fā)布部門： |
中國電子工業(yè)總公司 |
| 發(fā)布日期： |
1992-11-19 |
| 實施日期： |
1993-05-01
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| 提出單位： |
中國電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局 |
| 歸口單位： |
中國電子技術(shù)標準化研究所 |
| 起草單位： |
中國電子技術(shù)標準化研究所和石家莊無線電二廠 |
| 起草人： |
王長福、王承琳、謝佩蘭 |
| 頁數(shù)： |
9頁 |
| 出版社： |
電子工業(yè)出版社 |
| 出版日期： |
1993-04-01 |
| 標準前頁： |
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